Код товара:
MJD122T4G(MS)Артикул:
MJD122T4G(MS)Производитель:
MSKSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит MJD122T4G(MS) PDF
65044
24.61р.
Current - Collector Cutoff
10uAOperating Temperature
-55℃~+150℃Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 1.25W Surface Mount TO-252
Официальный технический даташит MSKSEMI MJD122T4G(MS) (артикул MJD122T4G(MS)): Даташит MJD122T4G(MS) PDF.
Характеристики
Current - Collector Cutoff
10uA
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Collector - Emitter Voltage VCEO
100V
DC Current Gain
12000
Emitter-Base Voltage VEBO
5V
Pd - Power Dissipation
1.25W
Current - Collector(Ic)
6A
Number
1 NPN
type
NPN
Vce Saturation(VCE(sat))
4V
Package
TO-252
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
