Код товара:
2N5551Артикул:
2N5551Производитель:
JSMSEMIКатегория
Одиночные биполярные транзисторыДаташит
Даташит 2N5551 PDF
36556
1.42р.
Emitter-Base Voltage(Vebo)
6VCurrent - Collector Cutoff
50nABipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz Through Hole TO-92
Официальный технический даташит JSMSEMI 2N5551 (артикул 2N5551): Даташит 2N5551 PDF.
Характеристики
Emitter-Base Voltage(Vebo)
6V
Current - Collector Cutoff
50nA
DC Current Gain
80
Transition frequency(fT)
100MHz
Number
1 NPN
type
NPN
Pd - Power Dissipation
350mW
Current - Collector(Ic)
600mA
Collector - Emitter Voltage VCEO
160V
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Vce Saturation(VCE(sat))
200mV
Package
TO-92
Minimum
50
Multiple
50
Standard Packaging
1000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412199
HTS_TARIC
8541210000
HTS_IN
85412100
HTS_CN
8541210000
HTS_MX
8541.21.01
HTS_CA
8541210000
HTS_US
8541210095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
