60177
303.96р.
Driven Configuration
Low Side;High Side;Half-BridgeOperating Temperature
-40℃~+125℃2.6A 6.5V~30V 9ns 8ns 9A SOIC-16-300mil Isolators - Gate Drivers RoHS
Официальный технический даташит onsemi NCV51561BBDWR2G (артикул NCV51561BBDWR2G): Даташит NCV51561BBDWR2G PDF.
Характеристики
Driven Configuration
Low Side;High Side;Half-Bridge
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Logic Level - High
1.4V~1.8V
Current - Output High(IOH)
2.6A
Voltage - Supply
6.5V~30V
Rise Time
9ns
Fall Time
8ns
Number of Channels
2
Current - Output Low(IOL)
9A
Quiescent Current
780uA
Propagation Delay(tpd)
36ns;36ns
Load Type
MOSFET
Input Logic Level - Low
900mV~1.3V
Features
Enable shutdown;Dead-time control;Interleaved conduction protection
Package
SOIC-16-300mil
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85423999
HTS_TARIC
8542399000
HTS_IN
85423900
HTS_CN
8542399000
HTS_MX
8542.39.99
HTS_CA
8542390000
HTS_US
8542390001
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
