Код товара:
NCD57200DR2GАртикул:
NCD57200DR2GПроизводитель:
onsemiКатегория
Изоляторы драйверов затвораДаташит
Даташит NCD57200DR2G PDF
80859
96.12р.
Driven Configuration
Half-BridgeOperating Temperature
-40℃~+125℃Half-Bridge 1.9A 20V 13ns 8ns 2.3A SOIC-8 Isolators - Gate Drivers RoHS
Официальный технический даташит onsemi NCD57200DR2G (артикул NCD57200DR2G): Даташит NCD57200DR2G PDF.
Характеристики
Driven Configuration
Half-Bridge
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Current - Output High(IOH)
1.9A
Voltage - Supply
20V
Rise Time
13ns
Fall Time
8ns
Number of Channels
2
Current - Output Low(IOL)
2.3A
Quiescent Current
380uA
Propagation Delay(tpd)
90ns;90ns
Load Type
IGBT
Features
Dead-time control;Interleaved conduction protection
Package
SOIC-8
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85423999
HTS_TARIC
8542399000
HTS_IN
85423900
HTS_CN
8542399000
HTS_MX
8542.39.99
HTS_CA
8542390000
HTS_US
8542390001
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
