Код товара:
APT29F80JАртикул:
APT29F80JПроизводитель:
MICROCHIPКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит APT29F80J PDF
67499
8110.56р.
Operating Temperature
-55℃~+150℃Drain to Source Voltage
800V800V 31A 4V 543W 210mΩ@10V 1 N-channel SOT-227B-4 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит MICROCHIP APT29F80J (артикул APT29F80J): Даташит APT29F80J PDF.
Характеристики
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage
800V
Current - Continuous Drain(Id)
31A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Pd - Power Dissipation
543W
RDS(on)
210mΩ@10V
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
9.326nF
Gate Charge(Qg)
303nC@10V
Package
SOT-227B-4
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
