Код товара:
MV2N5115UB/TRАртикул:
MV2N5115UB/TRПроизводитель:
MICROCHIPКатегория
JFET-транзисторыДаташит
Даташит MV2N5115UB/TR PDF
3187
20930.68р.
FET Type
P-ChannelCiss-Input Capacitance
25pF500mW 15mA 100Ω 30V SMD-3P JFETs
Официальный технический даташит MICROCHIP MV2N5115UB/TR (артикул MV2N5115UB/TR): Даташит MV2N5115UB/TR PDF.
Характеристики
FET Type
P-Channel
Ciss-Input Capacitance
25pF
Pd - Power Dissipation
500mW
Drain Current (Idss)
15mA
operating temperature
-65℃~+200℃
RDS(on)
100Ω
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)
30V
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))
3V
Package
SMD-3P
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
100
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
