Код товара:
2N4856UB/TRАртикул:
2N4856UB/TRПроизводитель:
MICROCHIPКатегория
JFET-транзисторыДаташит
Даташит 2N4856UB/TR PDF
36603
8795.46р.
Ciss-Input Capacitance
18pFPd - Power Dissipation
360mW360mW 175mA 25Ω 40V SMD-3P JFETs RoHS
Официальный технический даташит MICROCHIP 2N4856UB/TR (артикул 2N4856UB/TR): Даташит 2N4856UB/TR PDF.
Характеристики
Ciss-Input Capacitance
18pF
Pd - Power Dissipation
360mW
Drain Current (Idss)
175mA
operating temperature
-65℃~+200℃
RDS(on)
25Ω
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)
40V
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))
10V
Package
SMD-3P
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
5000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
