1.8W 50mA 30Ω 40V TO-18 JFETs
Характеристики
Ciss-Input Capacitance
14pF
Pd - Power Dissipation
1.8W
Drain Current (Idss)
50mA
operating temperature
-55℃~+125℃
RDS(on)
30Ω
Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss)
40V
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off))
4V
Package
TO-18
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
