Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.8kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
468nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5V@15V,40A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
9.55nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
115pF
Package
TO-247N
Pd - Power Dissipation
535W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
80A
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
102pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.6mJ
Td(off)
565ns
Td(on)
80ns
Turn-On Energy (Eon)
1.85mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
