Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
MSG75T65HFC6
Артикул:
MSG75T65HFC6
Производитель:
MASPOWER
90
434.94р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
140nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
140nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.5V@600uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
2.65nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
320pF
Package
TO-247-4L
Pd - Power Dissipation
625W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
300A
Reverse Recovery Time(trr)
49ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
63pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.5mJ
Td(off)
95ns
Td(on)
26ns
Turn-On Energy (Eon)
2.8mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
MASPOWER MS60N06HGB0
MS60N06HGB0
90
171.50р.
Jingdao Microelectronics SS1045C
SS1045C
120
11.27р.
R+O 1SS226
1SS226
35900
1.42р.
orisilicon OSM15N10X2
OSM15N10X2
4270
29.79р.
orisilicon OSM15N10
OSM15N10
2275
12.39р.