630
96.56р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kVGate Charge(Qg)
142nC@15VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
Gate Charge(Qg)
142nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
2.37nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
59pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
208W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
43pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Td(off)
198ns
Td(on)
34ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
