Код товара:
APT75GP120B2GАртикул:
APT75GP120B2GПроизводитель:
MICROCHIPКатегория
Одиночные IGBTДаташит
Даташит APT75GP120B2G PDF
54363
5603.19р.
Pd - Power Dissipation
1.042kWTd(off)
163ns1.042kW 100A 1.2kV PT (Punch-Through) TO-247-3 Single IGBTs RoHS
Официальный технический даташит MICROCHIP APT75GP120B2G (артикул APT75GP120B2G): Даташит APT75GP120B2G PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.042kW
Td(off)
163ns
Td(on)
20ns
Current - Collector(Ic)
100A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
80pF
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.9V@15V,75A
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Vce Saturation(VCE(sat))
3.3V;3V
Switching Energy(Eoff)
2.5mJ;4.82mJ
Turn-On Energy (Eon)
1.62mJ;4.1mJ;5.85mJ
Input Capacitance(Cies)
7.035nF
Output Capacitance(Coes)
460pF
Gate Charge(Qg)
320nC
Package
TO-247-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
30
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
