Код товара:
APT70GR120B2Артикул:
APT70GR120B2Производитель:
MICROCHIPКатегория
Одиночные IGBTДаташит
Даташит APT70GR120B2 PDF
45232
2986.97р.
Pd - Power Dissipation
961WTd(off)
278ns961W 160A 1.2kV NPT (Non-Punch Through) TO-247 Single IGBTs RoHS
Официальный технический даташит MICROCHIP APT70GR120B2 (артикул APT70GR120B2): Даташит APT70GR120B2 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
961W
Td(off)
278ns
Td(on)
33ns
Current - Collector(Ic)
160A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
199pF
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@15V,70A
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Vce Saturation(VCE(sat))
3.2V
Switching Energy(Eoff)
2.58mJ
Turn-On Energy (Eon)
3.82mJ
Input Capacitance(Cies)
7.26nF
Output Capacitance(Coes)
643pF
Gate Charge(Qg)
544nC
Package
TO-247
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
30
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
