Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
183nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.1V@15V,110A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
880W
Reverse Recovery Time(trr)
100ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.05mJ
Td(off)
156ns
Td(on)
38ns
Turn-On Energy (Eon)
2.2mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
