Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
128nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.2V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.555nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
198pF
Package
TO-247
Pulsed Current- Forward(Ifm)
225A
Reverse Recovery Time(trr)
122ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
41pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
2.1mJ
Td(off)
177ns
Td(on)
63ns
Turn-On Energy (Eon)
3.6mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
