Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
142nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.4V@15V,30A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Input Capacitance(Cies)
2.93nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
240pF
Package
TO-247AD
Pd - Power Dissipation
380W
Reverse Recovery Time(trr)
100ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
93pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
550uJ
Td(off)
130ns
Td(on)
17ns
Turn-On Energy (Eon)
1.8mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
