Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
110nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
PT (Punch-Through)
Input Capacitance(Cies)
3.19nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
175pF
Package
TO-263AA
Pd - Power Dissipation
300W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
43pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
Switching Energy(Eoff)
2.9mJ
Td(off)
334ns
Td(on)
25ns
Turn-On Energy (Eon)
950uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
