Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGB50N65S5
Артикул:
IGB50N65S5
Производитель:
Infineon
80
230.56р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
120nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
120nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.8V@0.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
50pF
Package
TO-263-3
Pd - Power Dissipation
270W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
11pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1000
Switching Energy(Eoff)
740uJ
Td(off)
139ns
Td(on)
21ns
Turn-On Energy (Eon)
1.23mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IGP30N65F5
IGP30N65F5
1
285.12р.
Infineon IDW30C65D1
IDW30C65D1
50
287.19р.
Infineon IDP08E65D2
IDP08E65D2
240
126.38р.
Infineon IDW30E60
IDW30E60
169
206.11р.
Infineon IDP30E65D1
IDP30E65D1
50
157.93р.