Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
AIKW75N60CT
Артикул:
AIKW75N60CT
Производитель:
Infineon
5
1246.81р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
Gate Charge(Qg)
470nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
Gate Charge(Qg)
470nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.1V@1.2mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
4.62nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
288pF
Package
TO-247-3-41
Pd - Power Dissipation
428W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
225A
Reverse Recovery Time(trr)
121ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
137pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
240
Switching Energy(Eoff)
2.5mJ
Td(off)
330ns
Td(on)
33ns
Turn-On Energy (Eon)
2mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
DIODES ZXTN25020DGTA
ZXTN25020DGTA
369
69.97р.
DIODES UF1004-T
UF1004-T
170
6.09р.
DIODES SBR3060CT
SBR3060CT
50
100.65р.
DIODES ZVNL120GTA
ZVNL120GTA
58
47.23р.
DIODES SBR10100CTFP
SBR10100CTFP
8
45.56р.