Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKZA50N65EH7XKSA1
Артикул:
IKZA50N65EH7XKSA1
Производитель:
Infineon
3
1176.00р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
103nC@50A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.9V@0.44mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
2.591nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247-4
Pd - Power Dissipation
250W
Reverse Recovery Time(trr)
54.6ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
240
Switching Energy(Eoff)
490uJ
Td(off)
142ns
Td(on)
15ns
Turn-On Energy (Eon)
440uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKZA75N65EH7XKSA1
IKZA75N65EH7XKSA1
15
638.67р.
Infineon IQDH35N03LM5CGATMA1
IQDH35N03LM5CGATMA1
5
236.86р.
Infineon ISC037N12NM6ATMA1
ISC037N12NM6ATMA1
59
409.54р.
Infineon IQDH29NE2LM5CGATMA1
IQDH29NE2LM5CGATMA1
4
242.84р.
Infineon IPTG054N15NM5ATMA1
IPTG054N15NM5ATMA1
8
360.94р.