Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKWH100N65EH7XKSA1
Артикул:
IKWH100N65EH7XKSA1
Производитель:
Infineon
5
690.76р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
199nC@100A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.9V@0.88mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
5.221nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
427W
Reverse Recovery Time(trr)
106ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
240
Switching Energy(Eoff)
2.37mJ
Td(off)
240ns
Td(on)
32ns
Turn-On Energy (Eon)
3.58mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IKW75N120CH7XKSA1
IKW75N120CH7XKSA1
17
903.55р.
Infineon IKQB160N75CP2AKSA1
IKQB160N75CP2AKSA1
1
1759.94р.
Infineon IKQB120N75CP2AKSA1
IKQB120N75CP2AKSA1
3
1608.66р.
Infineon IKQ75N120CS7XKSA1
IKQ75N120CS7XKSA1
5
985.73р.
Infineon IKQ75N120CH7XKSA1
IKQ75N120CH7XKSA1
9
838.49р.