Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IHW30N135R5-HXY
Артикул:
IHW30N135R5-HXY
Производитель:
HXY MOSFET
30
251.98р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
Gate Charge(Qg)
120nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
Gate Charge(Qg)
120nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V@0.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
3.8nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
51pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
250W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
90A
Reverse Recovery Time(trr)
330ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
18pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.3mJ
Td(off)
190ns
Td(on)
51ns
Turn-On Energy (Eon)
2.6mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET IHW30N135R5-HXY
IHW30N135R5-HXY
30
251.98р.
HXY MOSFET IKW50N65H5-HXY
IKW50N65H5-HXY
30
261.61р.
HXY MOSFET NGTB30N135IHRWG-HXY
NGTB30N135IHRWG-HXY
28
381.15р.
HXY MOSFET IXA45IF1200HB-HXY
IXA45IF1200HB-HXY
10
1218.69р.
HXY MOSFET RJH1CV7DPQ-HXY
RJH1CV7DPQ-HXY
10
690.91р.