Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGW75N60H3FKSA1
Артикул:
IGW75N60H3FKSA1
Производитель:
Infineon
3
634.59р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
470nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.3V@15V,75A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
4.62nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
240pF
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
428W
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
138pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
1.7mJ
Td(off)
265ns
Td(on)
31ns
Turn-On Energy (Eon)
3mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
DIODES ADTC124EUAQ-13
ADTC124EUAQ-13
30
3.36р.
Taiwan Semiconductor BAS116 RFG
BAS116 RFG
3000
3.36р.
VISHAY SE8D20JHM3/H
SE8D20JHM3/H
80
57.51р.
PANJIT BAV99TB_R1_00001
BAV99TB_R1_00001
2820
3.71р.
DIODES DMC3025LDV-13
DMC3025LDV-13
70
71.59р.