Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IGD08N120S7ATMA1
Артикул:
IGD08N120S7ATMA1
Производитель:
Infineon
6
145.33р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
55nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.15V@0.16mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.3nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Package
TO-252-3
Pd - Power Dissipation
106W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
Switching Energy(Eoff)
410uJ
Td(off)
149ns
Td(on)
15ns
Turn-On Energy (Eon)
460uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Fuji Electric 2MBI200VA-060-50
2MBI200VA-060-50
1
3659.75р.
Fuji Electric FMW47N60S1HF
FMW47N60S1HF
530
300.52р.
GOFORD GT105N10M
GT105N10M
841
50.88р.
Infineon IDWD50G200C5XKSA1
IDWD50G200C5XKSA1
3
3686.55р.
Infineon IDWD10G200C5XKSA1
IDWD10G200C5XKSA1
30
1087.84р.