Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
IKWH30N67PR7XKSA1
Артикул:
IKWH30N67PR7XKSA1
Производитель:
Infineon
15
171.02р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
670V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
670V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
85nC@30A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.2V@0.182mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
1.906nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Package
TO-247-3
Pd - Power Dissipation
179W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
260uJ
Td(off)
124ns
Td(on)
12ns
Turn-On Energy (Eon)
450uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
HXY MOSFET HIRLR3717PbF
HIRLR3717PbF
2
57.24р.
HXY MOSFET HNTTFS4821NTAG
HNTTFS4821NTAG
35
18.57р.
HXY MOSFET HNTTFS4824NTAG
HNTTFS4824NTAG
15
23.01р.
HXY MOSFET HSTD30NF06LAG
HSTD30NF06LAG
8
49.18р.
HXY MOSFET HFDD4243
HFDD4243
8
52.98р.