Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
119nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
3.5V@250uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
1.88nF
Minimum
1
Multiple
1
Output Capacitance(Coes)
180pF
Package
TO-3P
Pd - Power Dissipation
349W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
120A
Reverse Recovery Time(trr)
42ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
50pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
260uJ
Td(off)
92ns
Td(on)
12ns
Turn-On Energy (Eon)
820uJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
