Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
275nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4V@60mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Input Capacitance(Cies)
6nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
260pF
Package
TO-264-3
Pd - Power Dissipation
180W
Reverse Recovery Time(trr)
1.2us
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
200pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
25
Td(off)
630ns
Td(on)
140ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
