433
73.47р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kVGate Charge(Qg)
142nC@25A,15VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.35kV
Gate Charge(Qg)
142nC@25A,15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V@1mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
NPT (Non-Punch Through)
Input Capacitance(Cies)
2.37nF@30V
Minimum
1
Multiple
1
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
208W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
