Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
NGTB25N120FL3WG
Артикул:
NGTB25N120FL3WG
Производитель:
onsemi
257
288.64р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
136nC
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@400uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
3.085nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
94pF
Package
TO-247
Pd - Power Dissipation
349W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
100A
Reverse Recovery Time(trr)
114ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
52pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
700uJ
Td(off)
109ns
Td(on)
15ns
Turn-On Energy (Eon)
1mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
Infineon IPA65R650CE
IPA65R650CE
5187
51.26р.
LRC LBC848CLT1G
LBC848CLT1G
1500
1.98р.
ROHM 2SD2143TL
2SD2143TL
2314
47.09р.
DIODES B360A-13-F
B360A-13-F
30400
8.74р.
UTC ULN2004G-S16-R
ULN2004G-S16-R
1235
21.32р.