0
458.33р.
Category
Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTsCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600VCategory
Discrete Semiconductors/IGBTs/Single IGBTs
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
600V
ECCN
EAR99
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.2V@15V,50A
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
2.7nF
Manufacturer
TOSHIBA
Minimum
1
Multiple
1
Package
SC-65-3
Pd - Power Dissipation
230W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
100A
Reverse Recovery Time(trr)
350ns
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
25
Td(off)
330ns
Td(on)
250ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
