Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
CMD5B65D
Артикул:
CMD5B65D
Производитель:
Cmos
340
15.40р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
12.5nC@15V
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
12.5nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@500uA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
260pF
Minimum
5
Multiple
5
Output Capacitance(Coes)
40pF
Package
TO-252
Pd - Power Dissipation
65W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
9A
Reverse Recovery Time(trr)
195ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
6pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
Switching Energy(Eoff)
84mJ
Td(off)
84ns
Td(on)
20ns
Turn-On Energy (Eon)
195mJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
TDSEMIC MM3Z30-TD
MM3Z30-TD
3000
1.84р.
MSKSEMI IPT015N10NF2SATMA1-MS
IPT015N10NF2SATMA1-MS
496
256.01р.
HXY MOSFET UJ3D06530TS-HXY
UJ3D06530TS-HXY
25
537.33р.
Cmos CMD15N15
CMD15N15
160
15.38р.
VBsemi Elec DMN4026SSDQ-13-VB
DMN4026SSDQ-13-VB
10
54.84р.