2
3017.56р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650VGate Charge(Qg)
780nC@200A,600VCollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Gate Charge(Qg)
780nC@200A,600V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.33V@0.25mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
Input Capacitance(Cies)
19.29nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+150℃
Pd - Power Dissipation
694W
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
1
Switching Energy(Eoff)
3.06mJ
Td(off)
260ns
Td(on)
180ns
Turn-On Energy (Eon)
10.6mJ
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
