Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
FGH75T65SQDT-F155
Артикул:
FGH75T65SQDT-F155
Производитель:
onsemi
118
327.48р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
128nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.6V@75mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
4.845nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-55℃~+175℃@(Tj)
Output Capacitance(Coes)
155pF
Package
TO-247-G03
Pd - Power Dissipation
375W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
300A
Reverse Recovery Time(trr)
76ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
14pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
30
Switching Energy(Eoff)
70uJ
Td(off)
114ns
Td(on)
23ns
Turn-On Energy (Eon)
300uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
DIODES BZX84C16-7-F
BZX84C16-7-F
20
3.04р.
onsemi FCH110N65F-F155
FCH110N65F-F155
230
698.82р.
FMS(Formosa Microsemi) MMSZ8V2BW
MMSZ8V2BW
50
1.75р.
AnBon SS54-C
SS54-C
1595
9.76р.
TOSHIBA TPHR6503PL,L1Q(M
TPHR6503PL,L1Q(M
5000
139.84р.