10
3599.26р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kVGate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6V@35mACollector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
6V@35mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
IGBT Module
Minimum
1
Multiple
1
Package
Through Hole,107.5x45mm
Pd - Power Dissipation
210W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
260A
Reverse Recovery Time(trr)
350ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
2.9nF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
10
Td(off)
530ns
Td(on)
390ns
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
