Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
DGTD65T15H2TF
Артикул:
DGTD65T15H2TF
Производитель:
DIODES
9
184.65р.
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
61nC@15V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
4.5V@0.5mA
HTS_BR
85416010
HTS_CA
8541600010
HTS_CN
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_TARIC
8541600000
HTS_US
8541600080
IGBT Type
FS (Field Stop)
Input Capacitance(Cies)
1.129nF
Minimum
1
Multiple
1
Operating temperature
-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coes)
31pF
Package
ITO-220AB-3
Pd - Power Dissipation
48W
Pulsed Current- Forward(Ifm)
60A
Reverse Recovery Time(trr)
150ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
57pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
50
Switching Energy(Eoff)
86uJ
Td(off)
128ns
Td(on)
19ns
Turn-On Energy (Eon)
270uJ

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
ROHM 2SD2114KT146W
2SD2114KT146W
500
5.10р.
XINLUDA XL62003
XL62003
180
32.95р.
VBsemi Elec FDW2601NZ-VB
FDW2601NZ-VB
45
31.70р.
onsemi 2N5551BU
2N5551BU
10
10.84р.
VBsemi Elec IRFR3410TR-VB
IRFR3410TR-VB
9
91.70р.