Код товара:
FP50R12N2T7PB11BPSA1Артикул:
FP50R12N2T7PB11BPSA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
85312
14168.34р.
Td(off)
290nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 50A 1.2kV IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1 (артикул FP50R12N2T7PB11BPSA1): Даташит FP50R12N2T7PB11BPSA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
290ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
59ns
Current - Collector(Ic)
50A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
39pF
Gate Charge(Qg)
920nC@600V
Switching Energy(Eoff)
3.37mJ
Turn-On Energy (Eon)
5.07mJ
Operating Temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
11.1nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
