Код товара:
FF750R12ME7B11BPSA1Артикул:
FF750R12ME7B11BPSA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
56705
36312.21р.
Td(off)
470ns;550ns;600nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 750A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF750R12ME7B11BPSA1 (артикул FF750R12ME7B11BPSA1): Даташит FF750R12ME7B11BPSA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
470ns;550ns;600ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
300ns;320ns;340ns
Current - Collector(Ic)
750A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
580pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
1.75V@15V,750A
Gate Charge(Qg)
12uC
Vce Saturation(VCE(sat))
1.5V;1.65V;1.75V
Switching Energy(Eoff)
65mJ;97.5mJ;121mJ
Turn-On Energy (Eon)
53mJ;86mJ;107mJ
Operating Temperature
-40℃~+175℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
115nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
