Код товара:
FF225R12ME4B11Артикул:
FF225R12ME4B11Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF225R12ME4B11 PDF
89140
18526.16р.
Td(off)
380ns;500nsPd - Power Dissipation
1.05kW1.05kW 320A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF225R12ME4B11 (артикул FF225R12ME4B11): Даташит FF225R12ME4B11 PDF.
Характеристики
Td(off)
380ns;500ns
Pd - Power Dissipation
1.05kW
Td(on)
160ns;180ns
Current - Collector(Ic)
320A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
705pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2.15V@15V,225A
Gate Charge(Qg)
1.55uC
Vce Saturation(VCE(sat))
1.85V;2.15V
Switching Energy(Eoff)
17mJ;29.5mJ
Turn-On Energy (Eon)
6.8mJ;15mJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
13nF@25V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
10
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
