Код товара:
FF150R12KE3B8Артикул:
FF150R12KE3B8Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBTДаташит
Даташит FF150R12KE3B8 PDF
29690
19659.11р.
Pd - Power Dissipation
1.25kWTd(off)
530ns1.25kW 150A 1.2kV IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon FF150R12KE3B8 (артикул FF150R12KE3B8): Даташит FF150R12KE3B8 PDF.
Характеристики
Pd - Power Dissipation
1.25kW
Td(off)
530ns
Td(on)
100ns
Current - Collector(Ic)
150A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
500pF
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
5.5V
Gate Charge(Qg)
1.6uC
Vce Saturation(VCE(sat))
3.7V
Switching Energy(Eoff)
11mJ
Turn-On Energy (Eon)
14.5mJ
Operating Temperature
-40℃~+125℃
Input Capacitance(Cies)
11nF
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
