Код товара:
DF200R07W2H3B77BPSA1Артикул:
DF200R07W2H3B77BPSA1Производитель:
InfineonКатегория
Модули IGBT
34715
9126.97р.
Td(off)
185nsPd - Power Dissipation
20mW20mW 70A 650V FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Официальный технический даташит Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 (артикул DF200R07W2H3B77BPSA1): Даташит DF200R07W2H3B77BPSA1 PDF.
Характеристики
Td(off)
185ns
Pd - Power Dissipation
20mW
Td(on)
72ns
Current - Collector(Ic)
70A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)
650V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)
190pF
IGBT Type
FS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)
2V@15V,50A
Gate Charge(Qg)
1.1uC@400V
Vce Saturation(VCE(sat))
1.46V
Switching Energy(Eoff)
1.37mJ
Turn-On Energy (Eon)
981uJ
Operating Temperature
-40℃~+150℃@(Tj)
Input Capacitance(Cies)
2.95nF@650V
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
15
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85416010
HTS_TARIC
8541600000
HTS_IN
85416000
HTS_CN
8541600000
HTS_MX
8541.60.01
HTS_CA
8541600010
HTS_US
8541600080
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
