Код товара:
SQJ868EP-T1_GE3Артикул:
SQJ868EP-T1_GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SQJ868EP-T1_GE3 PDF
36180
40.37р.
Drain to Source Voltage
40VOperating Temperature -
-55℃~+175℃N-Channel 40V 58A 48W PowerPAKSO-8L
Официальный технический даташит VISHAY SQJ868EP-T1_GE3 (артикул SQJ868EP-T1_GE3): Даташит SQJ868EP-T1_GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
40V
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Ciss-Input Capacitance
2.45nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
140pF
RDS(on)
7.35mΩ@10V
Number
1 N-channel
Pd - Power Dissipation
48W
Gate Charge(Qg)
55nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
58A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.5V
Package
PowerPAKSO-8L
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
