Код товара:
SQ2309ES-T1_GE3Артикул:
SQ2309ES-T1_GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SQ2309ES-T1_GE3 PDF
51802
23.83р.
Drain to Source Voltage
60VOperating Temperature -
-55℃~+175℃P-Channel 60V 1.7A 2W Surface Mount SOT-23
Официальный технический даташит VISHAY SQ2309ES-T1_GE3 (артикул SQ2309ES-T1_GE3): Даташит SQ2309ES-T1_GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
60V
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Type
P-Channel
Ciss-Input Capacitance
265pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
21pF
RDS(on)
336mΩ@10V
Number
1 P-Channel
Output Capacitance(Coss)
30pF
Pd - Power Dissipation
2W
Gate Charge(Qg)
8.5nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
1.7A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
Package
SOT-23
Minimum
5
Multiple
5
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
