Код товара:
SIHP12N50E-GE3Артикул:
SIHP12N50E-GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SIHP12N50E-GE3 PDF
56751
182.97р.
Drain to Source Voltage
500VOperating Temperature -
-55℃~+150℃500V 380mΩ@10V 114W TO-220-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит VISHAY SIHP12N50E-GE3 (артикул SIHP12N50E-GE3): Даташит SIHP12N50E-GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
500V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
886pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
6pF
RDS(on)
380mΩ@10V
Output Capacitance(Coss)
52pF
Pd - Power Dissipation
114W
Gate Charge(Qg)
50nC
Current - Continuous Drain(Id)
10.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
Package
TO-220-3
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
1000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
