Код товара:
SIHD3N50DT4-GE3Артикул:
SIHD3N50DT4-GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SIHD3N50DT4-GE3 PDF
32458
34.21р.
Drain to Source Voltage
500VOperating Temperature -
-55℃~+150℃500V 1 N-channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит VISHAY SIHD3N50DT4-GE3 (артикул SIHD3N50DT4-GE3): Даташит SIHD3N50DT4-GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
500V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Ciss-Input Capacitance
175pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
5pF
Number
1 N-channel
Gate Charge(Qg)
12nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
5V
Package
TO-252
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
