Код товара:
SI7726DN-T1-GE3Артикул:
SI7726DN-T1-GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SI7726DN-T1-GE3 PDF
6457
38.01р.
Drain to Source Voltage
30VOperating Temperature -
-50℃~+150℃30V 9.5mΩ@10V 1 N-channel 3.8W PowerPAK1212-8 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит VISHAY SI7726DN-T1-GE3 (артикул SI7726DN-T1-GE3): Даташит SI7726DN-T1-GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
30V
Operating Temperature -
-50℃~+150℃
Ciss-Input Capacitance
1.765nF
RDS(on)
9.5mΩ@10V
Number
1 N-channel
Pd - Power Dissipation
3.8W
Gate Charge(Qg)
12.5nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
35A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
1.4V
Package
PowerPAK1212-8
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
