Код товара:
SI1427EDH-T1-GE3Артикул:
SI1427EDH-T1-GE3Производитель:
VISHAYКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SI1427EDH-T1-GE3 PDF
75954
31.07р.
Drain to Source Voltage
20VOperating Temperature -
-55℃~+150℃20V 64mΩ@4.5V 1 P-Channel SOT-363-6 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит VISHAY SI1427EDH-T1-GE3 (артикул SI1427EDH-T1-GE3): Даташит SI1427EDH-T1-GE3 PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
20V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
RDS(on)
64mΩ@4.5V
Number
1 P-Channel
Pd - Power Dissipation
1.56W;2.8W
Gate Charge(Qg)
21nC@8V
Current - Continuous Drain(Id)
2A
Package
SOT-363-6
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
3000
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
