Код товара:
NCE30H12K-VBАртикул:
NCE30H12K-VBПроизводитель:
VBsemi ElecКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит NCE30H12K-VB PDF
57769
50.42р.
Drain to Source Voltage
30VOperating Temperature -
-55℃~+175℃30V 3.2mΩ@4.5V 1 N-channel 250W TO-252-2 Single FETs, MOSFETs RoHS
Официальный технический даташит VBsemi Elec NCE30H12K-VB (артикул NCE30H12K-VB): Даташит NCE30H12K-VB PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
30V
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
6.201nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
970pF
RDS(on)
3.2mΩ@4.5V
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
1.725nF
Pd - Power Dissipation
250W
Gate Charge(Qg)
123nC@4.5V
Current - Continuous Drain(Id)
120A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
2.5V
Package
TO-252-2
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2500
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
