Код товара:
IXTP70N075T2-VBАртикул:
IXTP70N075T2-VBПроизводитель:
VBsemi ElecКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит IXTP70N075T2-VB PDF
52413
96.83р.
Drain to Source Voltage
80VOperating Temperature -
-55℃~+150℃N-Channel 80V 100A 180W Through Hole TO-220AB
Официальный технический даташит VBsemi Elec IXTP70N075T2-VB (артикул IXTP70N075T2-VB): Даташит IXTP70N075T2-VB PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
80V
Operating Temperature -
-55℃~+150℃
Type
N-Channel
Ciss-Input Capacitance
3.855nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
376pF
RDS(on)
7mΩ@10V
Number
1 N-channel
Output Capacitance(Coss)
1.12nF
Pd - Power Dissipation
180W
Gate Charge(Qg)
35.5nC@10V
Current - Continuous Drain(Id)
100A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3.5V
Package
TO-220AB
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
50
Sales Unit
Piece
ECCN
EAR99
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
