Мы в Telegram
+7 (925)-00-33-540
skychip.zakaz@yandex.ru
0

Ваша корзина пуста!
Код товара:
VBE1201M
Артикул:
VBE1201M
Производитель:
VBsemi Elec
5
81.04р.
Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.8nF
Все характеристики
Надежность
Доставка по всей России
Помощь в выборе

Category
Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Ciss-Input Capacitance
1.8nF
Current - Continuous Drain(Id)
15A
Drain to Source Voltage
200V
ECCN
EAR99
Gate Charge(Qg)
34nC@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
4V
HTS_BR
85412910
HTS_CA
8541290000
HTS_CN
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_MX
8541.29.99
HTS_TARIC
8541290000
HTS_US
8541290095
Manufacturer
VBsemi Elec
Minimum
1
Multiple
1
Number
1 N-channel
Operating Temperature -
-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)
180pF
Package
TO-252
Pd - Power Dissipation
106W
RDS(on)
100mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
80pF
Sales Unit
Piece
Standard Packaging
2500
type
N-Channel

Габариты и вес

Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Нет вопросов об этом товаре.

Похожие товары
VBsemi Elec VBE1252M
VBE1252M
17
81.04р.
VBsemi Elec VBA5615
VBA5615
43
86.53р.
VBsemi Elec VBE1154N
VBE1154N
25
83.81р.
VBsemi Elec VBA3860
VBA3860
100
97.19р.
VBsemi Elec STD80N6F6-VB
STD80N6F6-VB
35
105.05р.