Код товара:
SP85N01BGHTOАртикул:
SP85N01BGHTOПроизводитель:
SiliupКатегория
Одиночные FET и MOSFETДаташит
Даташит SP85N01BGHTO PDF
76381
93.17р.
Drain to Source Voltage
85VOperating Temperature
-55℃~+150℃85V 350A 3V 456W 1.3mΩ@10V 1 N-channel TOLL Single FETs, MOSFETs
Официальный технический даташит Siliup SP85N01BGHTO (артикул SP85N01BGHTO): Даташит SP85N01BGHTO PDF.
Характеристики
Drain to Source Voltage
85V
Operating Temperature
-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)
350A
Output Capacitance(Coss)
2.788nF
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))
3V
Pd - Power Dissipation
456W
RDS(on)
1.3mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
87pF
Number
1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)
11.547nF
Gate Charge(Qg)
253nC@10V
Package
TOLL
Minimum
1
Multiple
1
Standard Packaging
2000
Sales Unit
Piece
HTS_BR
85412910
HTS_TARIC
8541290000
HTS_IN
85412900
HTS_CN
8541290000
HTS_MX
8541.29.99
HTS_CA
8541290000
HTS_US
8541290095
Габариты и вес
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Нет вопросов об этом товаре.
Похожие товары
